Дополнительная информация:-
описание:ПамятьCD4-US04G26M19-01 от компании CBR.
Row Precharge Delay (tRP):19
Объем одного модуля (ГБ):4
manufacturerCountry:КИТАЙ
Модель:CD4-US04G26M19-01
Напряжение (В):1.2
название:CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 4GB CD4-US04G26M19-01 PC4-21300, 2666MHz, CL19
RAS to CAS Delay (tRCD):19
Тайминги:19-19-19-43