Row Precharge Delay (tRP):19
Дополнительная информация:Одноранговый модуль
описание:ПамятьCD4-US04G26M19-00S от компании CBR.
Модель:CD4-US04G26M19-00S
Объем одного модуля (ГБ):4
manufacturerCountry:КИТАЙ
название:CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 4GB CD4-US04G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, Micron SDRAM, single rank
Напряжение (В):1.2
RAS to CAS Delay (tRCD):19
GTIN:06973720598895